نسٹ اور ہانگ کانگ یونیورسٹی کی مشترکہ تحقیق، نئی میموری ڈیوائس کی تیاری میں بڑی پیش رفت

اسلام آباد۔2اکتوبر (اے پی پی):نیشنل یونیورسٹی آف سائنسز اینڈ ٹیکنالوجی (نسٹ) کے ڈاکٹر سید رضوان اور ان کی تحقیقی ٹیم نے ہانگ کانگ یونیورسٹی کے اشتراک سے جدید "ٹو ڈی ایم ایکسین (Nb₂CTx MXene)” میٹریل پر مبنی میموری سسٹم تیار کر لیا ہے۔

یہ نئی ٹیکنالوجی "میموریسٹرز” کہلاتی ہے جو توانائی کی بچت کے ساتھ ساتھ مصنوعی ذہانت اور نیورومارفک کمپیوٹنگ میں استعمال کے لیے انتہائی موزوں ہے۔ تحقیقی مضمون معروف سائنسی جریدے "سمال” میں شائع ہوا ہے جس کا امپیکٹ فیکٹر 12.1 ہے جو اس کامیابی کی عالمی سطح پر اہمیت کو ظاہر کرتا ہے۔

یہ نئی میموری ڈیوائس "فیرو الیکٹرک سوئچنگ” اور "ریزسٹو موڈ” میں پائیدار کارکردگی دکھاتی ہے جو مستقبل میں کمپیوٹر میموری اور ذہانت سے چلنے والے سسٹمز کے لیے انقلابی ثابت ہو سکتی ہے۔